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解析と測定方法 (ANALYSIS AND MEASUREMENT METHODOLOGY)
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プローブピンの測定とシミュレーション (Probe Measurement & Simulation)
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注意すべき重要な点は、電気的に相互接続されている部分での、すべての高周波パラメータです。下図のようにプローブピンをセットし、その特性とRFパラメータを採取します。
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測定は、PNA-L N5230 20GHz を用いて行い、プローブピンは、カスケードマイクロプローブステーション内の特性ジグに配置します。すべてのピンは、不要なデータを最小限に抑えるため、厳格に実際のテスト条件（RTC）下で測定します。採取されたデータを基に、帯域幅と高周波性能を解析します。
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測定は、プローブピンをセットした状態のソケットを用いて行います。プローブピンの各終端には、この測定の為に特別に設計されたPCB基板が接続されます。次に、プローブピンは、接触点でピンの等価Sパラメータが測定されます。この測定方法によって採取できる高周波パラメータは、反射減衰量（S11とS22）と挿入損失と呼ばれるものです。必要なその他のパラメータについては、異なるジグや形状の物を使用します。
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